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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2376(Q)
| Artikelnummer: | 2SK2376(Q) |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2376(Q) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 2SK2376(Q).Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220FL Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 25A, 10V Verlustleistung (max) 100W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3, Short Tab Paket Tube Betriebstemperatur 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Ta) Grundproduktnummer 2SK2376 2SK2376(Q) Einzelheiten PDF [English] 2SK2376(Q) PDF - EN.pdf -
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